如何在4mm的铜圆柱上加工0.06mm的槽

徐守华

可以考虑激光加工，如果是在不行，且产品结构及力学性能允许的情况下，将此零件一分为二，用拼接的方式实现

海啸lhx

邹毅zy 发表于 2014-10-14 09:54
# i$ q7 m" O7 p5 C1 D/ `: h& O2 n0 x电火花烧比较方便快捷。

这个电火花加工是把金属汽化了吗？
. @. n- Q: q  X1 R4 w

东方大爹

不好干吧！

我心飞翔2

andyany 发表于 2014-10-14 12:02
开个宽槽，然后固定不行么？

  [9 g' ^* I2 D7 U3 d3 t怎么固定啊！

我心飞翔2

徐守华 发表于 2014-10-14 13:50
可以考虑激光加工，如果是在不行，且产品结构及力学性能允许的情况下，将此零件一分为二，用拼接的方式实现

这个东西太小，也是不好拼啊！

流年小生

1、激光划片
, g- W1 C/ c9 }6 k  G: D激光划技术是生产集成电路的关键技术，其划线细、精度高(线宽为15-25μm，槽深5-200μm)、加工速度快(可达200mm/s)，成品率达 99.5%以上。集成电路生产过程中，在一块基片上要制备上千个电路，在封装前要把它们分割成单个管芯。传统的方法是用金刚石砂轮切割，硅片表面因受机械力而产生辐射状裂纹。用激光划线技术进行划片，把激光束聚焦在硅片表面，产生高温使材料汽化而形成沟槽。通过调节脉冲重叠量可精确控制刻槽深度，使硅片很容易沿沟槽整齐断开，也可进行多次割划而直接切开。由于激光被聚焦成极小的光斑，热影响区极小，切划50μm深的沟槽时，在沟槽边25μm的地方温升不会影响有源器件的性能。激光划片是非接触加工，硅片不会受机械力而产生裂纹。因此可以达到提高硅片利用率、成品率高和切割质量好的目的。还可用于单晶硅、多晶硅、非晶硅太阳能电池的划片以及硅、锗、砷化稼和其他半导体衬底材料的划片与切割。
不知道可不可以哦
/ S& V+ w) Z3 P+ Z- F

动静之机

& G( `) K2 ?6 A, V. z  Z量大么？
9 d/ _) Z( E8 c
+ m; h5 _+ f" i5 D6 u, B4 C能干这个槽的数控设备大约50-60万瑞郎。。。。

寂寞如水

真空电子束加工

andyany

我心飞翔2 发表于 2014-10-15 11:09
这个东西太小，也是不好拼啊！

塞子塞紧，横向螺钉压紧，注胶粘，都可以考虑。

祥云飞鱼

我心飞翔2 发表于 2014-10-14 10:15
放0.06mm的弹片！

8 C% p8 b4 z  L5 }! R; p. R, i1 p, j强烈建议 加工地方改成几个弹片 堆叠 末端采用0.06
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