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机忆械新(20)——二维过渡金属二硫化物

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发表于 2025-3-18 06:37:42 | 显示全部楼层 |阅读模式
二维过渡金属二硫化物(Transition Metal Dichalcogenides, TMDs)是一类由过渡金属(如Mo、W、Nb等)与硫族元素(S、Se、Te)组成的层状材料,化学通式为MX₂(例如MoS₂、WS₂、WSe₂等)。其单层结构由一层过渡金属原子夹在两层硫族原子之间构成,具有独特的电子、光学和机械性能,尤其在单层状态下表现出与块体材料截然不同的特性。以下是其主要应用领域:
+ f1 h1 @( n9 S' ^1 J2 B1. 电子器件
) B( w. C. |+ p. ~4 c; M场效应晶体管(FET)
; l. Q6 q7 ]  MTMDs(如MoS₂、WS₂)单层具有直接带隙(约1-2 eV),适合作为半导体沟道材料。其高载流子迁移率和低静态功耗特性,可替代传统硅基晶体管,用于高性能、低功耗纳米电子器件。
9 f2 f" l4 N* f* [. D7 n柔性电子
5 ^1 i7 G. v$ {4 M5 k3 J由于机械柔韧性和可弯曲性,TMDs可用于柔性显示屏、可穿戴传感器和可折叠电子设备。
& R" n. @# K  H; E6 U* M. \2. 光电子学* q7 e6 h0 ?' k4 q* L' t- Z8 Q
光电探测器: p! b! E+ L( [5 P5 w
TMDs对可见光到近红外光敏感,激子结合能高(~100 meV),在单层下仍能高效吸光,适用于高速、高灵敏度光电探测器。* J, l& ]) F! \# k# V
发光器件
6 Q1 D; F& l) J9 m  p* l: o" X单层TMDs的直接带隙特性使其成为高效发光二极管(LED)和激光器的候选材料,尤其在量子点显示和纳米激光领域潜力显著。
7 X' G7 k0 \# W6 j3. 能源存储与转换
: ]$ V/ O' g& `1 }9 Y0 V/ a锂/钠离子电池
$ M7 j: a- y" ]( ?, t& lTMDs(如MoS₂)层间可嵌入金属离子,作为电极材料提升电池容量和循环稳定性。
2 Q0 w% j8 I1 e" o5 {析氢反应(HER)催化剂. E1 V2 @! J4 D
边缘活性位点丰富的MoS₂可作为低成本、高活性催化剂,替代贵金属铂(Pt),用于电解水制氢。
  X1 `4 o2 ]: p! v% I: l太阳能电池
5 m  U+ R5 n# v, A! BTMDs作为光吸收层或界面修饰层,可提高钙钛矿或有机太阳能电池的效率。
5 z5 R: d! _1 H. t, B; P$ B, n4. 催化与化学传感
' x9 ], m3 S3 X0 H9 u! g电催化
* T0 N7 W7 u: o4 t' P用于氧还原反应(ORR)、CO₂还原等,TMDs的缺陷工程可调控催化活性。
$ }0 o! A' L0 J. u+ ?" L1 i' E  R+ e气体传感器' c* w; R( \( B+ }
对NO₂、NH₃等气体敏感,表面吸附导致电导率显著变化,适用于高灵敏度传感器。
2 S3 j; M' ?; w! P9 k+ t# H5. 自旋电子学与量子技术
) O4 H" M% `& |3 Q8 h自旋阀器件2 Z; {( r! g( J: G2 }$ S; m: Z9 f
TMDs的自旋-轨道耦合效应可用于操控电子自旋,开发低功耗自旋电子器件。
7 w* E) n; x/ M7 ?$ X" p量子点与单光子源
& d. Q5 j, A! Z! g二维TMDs的缺陷或应变工程可产生量子发射器,应用于量子通信和计算。
$ l+ P+ S. ^- Y6. 生物医学$ ~2 e# d/ ~* P, g
生物传感器
# f/ y/ F( o4 {, a, G  O2 i/ T利用TMDs的高表面积和生物相容性,检测DNA、蛋白质或病毒。) |6 o( v! `, ?. A
光热治疗
' M8 v% ^7 x, `9 y9 R5 h, s; B: KTMDs(如WS₂)在近红外光下产生热量,用于靶向肿瘤治疗。+ N% n' G% ?: v* g" n3 z9 K
7. 复合材料增强4 f+ G5 R/ l4 y. }2 o: a& p* C0 |
作为添加剂提升聚合物、陶瓷等材料的机械强度、导热性或抗腐蚀性。( _3 Y; \5 Q& d2 d- K
独特优势
4 w3 C! I/ H! z! p$ Q可调带隙:层数依赖的带隙(单层直接→多层间接),适应不同光电需求。
/ R4 r" [1 v; c) K# |6 I) S) N; }, ]" P9 Y强激子效应:室温下稳定的激子,利于光电器件设计。
: {0 ?# x% D2 o) O% F表面活性:边缘位点和缺陷提供丰富的催化活性位点。' a: K+ U- y+ C' {
挑战与展望
" o) _& `8 ?+ D  r6 j大规模制备:需开发可控、低成本的合成方法(如CVD、剥离技术)。
2 I3 j# [8 c0 }, L( V8 f2 Z9 s* }界面工程:优化TMDs与衬底或其他材料的界面接触。
6 e( D" y6 s% b- b+ b稳定性:部分TMDs易氧化,需封装或钝化处理。
. q7 A  H! _* c. D9 A+ f随着制备技术和器件设计的进步,TMDs有望在下一代纳米电子、能源和量子技术中发挥核心作用。
. T4 K5 n' b; t  f0 O' j1 Q8 i4 b1 |3 `3 f  h! h5 N
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