|
。 
+ D- o' i$ B0 o" k. y( l2 ~! o气体传感器的结构概要(图像:IEDM)
0 @, Z$ B" e7 s, t+ U2 y, Z" G1 _ p4 H8 h) @1 K) R% y
富士通开发出了采用石墨烯的半导体气体传感器。将在半导体元件及工艺技术相关国际会议“IEDM 2016”(12月3〜7日、旧金山)上就其详细情况发表演讲(演讲序号:18.2)。该传感器的特点是灵敏度较高,选择性较大。) D' E3 I; x) J# q0 m3 j
7 {2 h4 I2 o' r0 A# I
试制的气体传感器将普通的MOSFET栅极电极换了成了石墨烯。这样一来,NH3和NO2吸附到石墨烯上时,MOSFET的漏极电流就会出现变化。检测到NO2时,MOSFET的漏极电流会减少,检测到NH3时,MOSFET的漏极电流会增加。# q9 C* i: Q2 z, F X3 n5 t
* F0 B4 a1 i0 c9 G/ E通过检测这种漏极电流的变化,在室温下,可检测到7ppb(1ppb为十亿分之一)的NO2和420ppb的NH3。不过,该传感器对SO2、H2S和乙醛基本无反应。传感器的灵敏度可以调节。
3 k! v! ?7 @' h7 e- I" K0 Q0 M X) s) x y
! R: n Q5 l' W: Y0 ?
|
|