半导体制冷--讨论

聂德平

半导体制冷又称电子制冷，或者温差电制冷，是从50年代发展起来的一门介于制冷技术和半导体技术边缘的学科，它利用特种半导体材料构成的P-N结，形成热电偶对，产生珀尔帖效应，即通过直流电制冷的一种新型制冷方法，与压缩式制冷和吸收式制冷并称为世界三大制冷方式。

- a# B( p$ J- u) O8 ]　　1834年，法国物理学家帕尔帖在铜丝的两头各接一根铋丝，再将两根铋丝分别接到直流电源的正负极上，通电后，他惊奇的发现一个接头变热，另一个接头变冷；这个现象后来就被称为"帕尔帖效应"。"帕尔帖效应"的物理原理为：电荷载体在导体中运动形成电流，由于电荷载体在不同的材料中处于不同的能级，当它从高能级向低能级运动时，就会释放出多余的热量。反之，就需要从外界吸收热量（即表现为制冷）。

　　所以，"半导体制冷"的效果就主要取决于电荷载体运动的两种材料的能级差，即热电势差。纯金属的导电导热性能好，但制冷效率极低（不到1%）。半导体材料具有极高的热电势，可以成功的用来做小型的热电制冷器。但当时由于使用的金属材料的热电性能较差，能量转换的效率很低，热电效应没有得到实质应用。直到本世纪五十年代，苏联科学院半导体研究所约飞院士对半导体进行了大量研究，于1945年前发表了研究成果，表明碲化铋化合物固溶体有良好的致冷效果。这是最早的也是最重要的热电半导体材料，至今还是温差致冷中半导体材料的一种主要成份。约飞的理论得到实践应用后，有众多的学者进行研究到六十年代半导体致冷材料的优值系数，达到相当水平，才得到大规模的应用。80年代以后，半导体的热电制冷的性能得到大幅度的提高，进一步开发热电制冷的应用领域。
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  x+ [6 k' u% B; Q　　二、半导体制冷片制冷原理 原理图
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( ], H" A1 g$ H# h; s& P; e$ T$ E
% o6 l2 h; Q) d' e  C& N9 a& W　　半导体制冷片（TE）也叫热电制冷片，是一种热泵，它的优点是没有滑动部件，应用在一些空间受到限制，可靠性要求高，无制冷剂污染的场合。
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　　半导体制冷片的工作运转是用直流电流，它既可制冷又可加热，通过改变直流电流的极性来决定在同一制冷片上实现制冷或加热，这个效果的产生就是通过热电的原理，上图就是一个单片的制冷片，它由两片陶瓷片组成，其中间有N型和P型的半导体材料（碲化铋），这个半导体元件在电路上是用串联形式连接组成. 半导体制冷片的工作原理是：当一块N型半导体材料和一块P型半导体材料联结成电偶对时，在这个电路中接通直流电流后，就能产生能量的转移，电流由N型元件流向P型元件的接头吸收热量，成为冷端由P型元件流向N型元件的接头释放热量，成为热端。吸热和放热的大小是通过电流的大小以及半导体材料N、P的元件对数来决定。制冷片内部是由上百对电偶联成的热电堆（如右图），以达到增强制冷（制热）的效果。以下三点是热电制冷的温差电效应。
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2 P. F& X3 w: R8 M- ^  g　　1、塞贝克效应（SEEBECK EFFECT）

6 f! P, S: X" C* X$ n  Y　　一八二二年德国人塞贝克发现当两种不同的导体相连接时，如两个连接点保持不同的温差，则在导体中产生一个温差电动势： ES=S.△T
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　　式中：ES为温差电动势

　　S（?）为温差电动势率（塞贝克系数）

" L8 d% G' ^( @3 d  d0 R. h　　△T为接点之间的温差

. j7 q$ k  m6 `( Z3 L* c　　2、珀尔帖效应（PELTIER EFFECT）

　　一八三四年法国人珀尔帖发现了与塞贝克效应的效应，即当电流流经两个不同导体形成的接点时，接点处会产生放热和吸热现象，放热或吸热大小由电流的大小来决定。

) W  G) m7 O- A　　Qл=л.I л=aTc
' g( X& {, t0 W. K, t5 z
　　式中：Qπ 为放热或吸热功率
6 R& c" A: ^5 G2 q+ y
0 @! u/ z; |2 k+ J/ L$ ^　　π为比例系数，称为珀尔帖系数
) K- F: g; Y; k+ [" Q) o2 b
) ^( \4 N8 z- L( y; \$ \　　I为工作电流

) |. X5 v- r: G( H% d! Q　　a为温差电动势率

3 P; i. j% a* y8 D　　Tc为冷接点温度

- f0 Z3 o0 ?0 ?- U# ^( d' J, z　　3、汤姆逊效应（THOMSON EFFECT）
  h- P; d5 q% C4 J1 [
　　当电流流经存在温度梯度的导体时，除了由导体电阻产生的焦耳热之外，导体还要放出或吸收热量，在温差为△T的导体两点之间，其放热量或吸热量为：

　　Qτ=τ.I.△T
1 J6 i7 l9 S  H% u# d. X
　　Qτ为放热或吸热功率
4 C' Z  K# i( t) Q% E
$ o5 {5 X) o, ~# {　　τ为汤姆逊系数

! c, V3 s9 ~5 n9 K* G　　I为工作电流

! P, k9 `; R8 l( d, y0 p3 v　　△T为温度梯度
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) r' O2 ~5 G6 u* q　　以上的理论直到本世纪五十年代，苏联科学院半导体研究所约飞院士对半导体进行了大量研究，于一九五四年发表了研究成果，表明碲化铋化合物固溶体有良好的制冷效果，这是最早的也是最重要的热电半导体材料，至今还是温差制冷中半导体材料的一种主要成份。

$ d# o% U7 i' g  k　　三、制冷片的技术应用
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+ f' f& l1 t5 |2 Z- v7 P+ S　　半导体制冷片作为特种冷源，在技术应用上具有以下的优点和特点：

　　1、不需要任何制冷剂，可连续工作，没有污染源没有旋转部件，不会产生回转效应，没有滑动部件是一种固体片件，工作时没有震动、噪音、寿命长，安装容易。
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　　2、半导体制冷片具有两种功能，既能制冷，又能加热，制冷效率一般不高，但制热效率很高，永远大于1。因此使用一个片件就可以代替分立的加热系统和制冷系统。
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9 s5 m, e0 K7 Q1 y" d　　3、半导体制冷片是电流换能型片件，通过输入电流的控制，可实现高精度的温度控制，再加上温度检测和控制手段，很容易实现遥控、程控、计算机控制，便于组成自动控制系统。
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　　4、半导体制冷片热惯性非常小，制冷制热时间很快，在热端散热良好冷端空载的情况下，通电不到一分钟，制冷片就能达到最大温差。

　　5、半导体制冷片的反向使用就是温差发电，半导体制冷片一般适用于中低温区发电。

& I; K! F* W) M/ u# S" `　　6、半导体制冷片的单个制冷元件对的功率很小，但组合成电堆，用同类型的电堆串、并联的方法组合成制冷系统的话，功率就可以做的很大，因此制冷功率可以做到几毫瓦到上万瓦的范围。
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　　7、半导体制冷片的温差范围，从正温90℃到负温度130℃都可以实现。
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! y* C$ ~( G4 ?! I　　通过以上分析，半导体温差电片件应用范围有：制冷、加热、发电，制冷和加热应用比较普遍，有以下几个方面：
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: [' q- a, O/ L, }　　1、军事方面：导弹、雷达、潜艇等方面的红外线探测、导行系统。
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; O' |, b% a7 h1 m' e　　2、医疗方面；冷力、冷合、白内障摘除片、血液分析仪等。

# L. c6 ]# ?: h& n4 q　　3、实验室装置方面：冷阱、冷箱、冷槽、电子低温测试装置、各种恒温、高低温实验仪片。
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% O6 ^7 y8 ]- Y: t9 h5 S3 n* o- f　　4、专用装置方面：石油产品低温测试仪、生化产品低温测试仪、细菌培养箱、恒温显影槽、电脑等。

　　5、日常生活方面：空调、冷热两用箱、饮水机、电子信箱、电脑以及其他电器等。此外，还有其它方面的应用，这里就不一一提了

过街蛤蟆

主要是功率小，使用受到限制，就像是‘光板’，发光效率很高，但亮度只能到一定程度，

见习生小王

半导体制冷片
# n$ d* _' {8 x% `4 i　　半导体制冷片也叫热电制冷片，是一种热泵，它的优点是没有滑动部件，应用在一些空间受到限制，可靠性要求高，无制冷剂污染的场合。是利用半导体材料的Peltier效应。当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时,在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量,可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术,其特点是无运动部件,可靠性也比较高。利用半导体制冷的方式来解决LED照明系统的散热问题，具有很高的实用价值。
1 y2 \- h: y' A% ]) V8 w历史
* |3 m7 H! U% N8 t3 P' N半导体致冷器是由半导体所组成的一种冷却装置，于1960年左右才出现，然而其理论基础Peltiereffect可追溯到19世纪。这现象最早是在1821年，由一位德国科学家ThomasSeeback首先发现，不过他当时做了错误的推论，并没有领悟到背后真正的科学原理。到了1834年，一位法国表匠，同时也是兼职研究这现象的物理学家JeanPeltier，才发现背后真正的原因，这个现象直到近代随著半导体的发展才有了实际的应用，也就是[致冷器]的发明(注意，这种叫致冷器，还不叫半导体致冷器)。由许多N型和P型半导体之颗粒互相排列而成，而NP之间以一般的导体相连接而成一完整线路，通常是铜、铝或其他金属导体，最後由两片陶瓷片像夹心饼干一样夹起来，陶瓷片必须绝缘且导热良好，外观由许多N型和P型半导体之颗粒互相排列而成，而NP之间以一般的导体相连接而成一完整线路，通常是铜、铝或其他金属导体，最后由两片陶瓷片像夹心饼干一样夹起来，陶瓷片必须绝缘且导热良好。
　　N型半导体。任何物质都是由原子组成，原子是由原子核和电子组成。电子以高速度绕原子核转动，受到原子核吸引，因为受到一定的限制，所以电子只能在有限的轨道上运转，不能任意离开，而各层轨道上的电子具有不同的能量(电子势能)。离原子核最远轨道上的电子，经常可以脱离原子核吸引，而在原子之间运动，叫导体。如果电子不能脱离轨道形成自由电子，故不能参加导电，叫绝缘体。半导体导电能力介于导体与绝缘体之间，叫半导体。半导体重要的特性是在一定数量的某种杂质渗入半导体之后，不但能大大加大导电能力，而且可以根据掺入杂质的种类和数量制造出不同性质、不同用途的半导体。将一种杂质掺入半导体后，会放出自由电子，这种半导体称为N型半导体。P型半导体，是靠“空穴”来导电。在外电场作用下“空穴”流动方向和电子流动方向相反，即“空穴”由正板流向负极，这是P型半导体原理。
　　载流子现象：N型半导体中的自由电子，P型半导体中的“空穴”，他们都是参与导电，统称为“载流子”，它是半导体所特有，是由于掺入杂质的结果。
8 y5 j3 Z6 H5 c; e　　半导体制冷材料：不仅需要N型和P型半导体特性，还要根据掺入的杂质改变半导体的温差电动势率，导电率和导热率使这种特殊半导体能满足制冷的材料。目前国内常用材料是以碲化铋为基体的三元固溶体合金，其中P型是Bi2Te3—Sb2Te3，N型是Bi2Te3—Bi2Se3，采用垂直区熔法提取晶体材料。
原理
在原理上，半导体的制冷片只能算是一个热传递的工具，虽然制冷片会主动为芯片散热，但依然要将热端的高于芯片的发热量散发掉。在制冷片工作期间，只要冷热端出现温差，热量便不断地通过晶格的传递，将热量移动到热端并通过散热设备散发出去。因此，制冷片对于芯片来说是主动制冷的装置，而对于整个系统来说，只能算是主动的导热装置，因此，采用半导体制冷装置的ZENO96智冷版，依然要采取主动散热的方式对制冷片的热端进行降温。
. e5 t5 V( `3 E5 `& A  t% L5 W　　风扇以及散热片的作用主要是为制冷片的热端散热，通常热端的温度在没有散热装置的时候会达到100度左右，极易超过制冷片的承受极限，而且半导体制冷效率的关键就是要尽快降低热端温度以增大两端温差，提高制冷效果，因此在热端采用大型的散热片以及主动的散热风扇将有助于散热系统的优良工作。在正常使用情况下，冷热端的温差将保持在40～65度之间。
% O* |. R0 p: m3 @" K8 V　　当一块N型半导体材料和一块P型半导体材料联结成电偶对时，在这个电路中接通直流电流后，就能产生能量的转移，电流由N型元件流向P型元件的接头吸收热量，成为冷端由P型元件流向N型元件的接头释放热量，成为热端。吸热和放热的大小是通过电流的大小以及半导体材料N、P的元件对数来决定。

聂德平

一切都有待于进一步的研发，个人认为它的优势还是很多的
现在准备DIY一个冷藏装置玩玩，不知道效果咋样

聂德平

由于种种原因，终于做了一个样品
3 M8 b3 Y7 S4 Q, h9 }但是目前工具，材料等不全，密封，粘接不好，效果不明显，没有达到预期效果
只有暂且放下，等待下次条件具备再试

hwyang714

       半导体制冷虽然优势多多，但制冷的功率、效率制冷深度等还有待于工艺突破，记得2002年在一家港资企业，我们研发部中的一个小组专门为家庭应用而开发的半导体制冷器，折腾一年多，因很多参数无法实现而只好不了了之！原理虽好，但半导体制冷在技术推广和应用上还有很长的路要走！不解决推广的瓶颈问题，只能停留在美好的期待中！

mojian168

支持，很不错，学习下

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