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紫光国芯官方确认 首款国产DDR4内存明年上市

2017-12-27 23:23| 发布者: 机械ant| 查看: 927| 评论: 0

摘要: 最近,一张印有紫光国芯(UniIC)LOGO 的内存条出现在了网络上,有人称这就是紫光自主研发的 DDR4 内存。一开始大家还不太相信图片的真实性,因为贴纸上出现了 PC3-12800U 的字样,对应的其实是 DDR3 1600 内存。但 ...

最近,一张印有紫光国芯(UniIC)LOGO 的内存条出现在了网络上,有人称这就是紫光自主研发的 DDR4 内存。一开始大家还不太相信图片的真实性,因为贴纸上出现了 PC3-12800U 的字样,对应的其实是 DDR3 1600 内存。但是今天紫光官方竟然主动承认了,他们表示这虽然不是真的,但是紫光确实有相关的计划。


昨天上午,紫光国芯在全景网投资者互动平台上发出了正式回应,他们表示上述关于 DDR4 产品的报道并不确切,但是公司现在确实在开展 DDR4存储芯片和模组的设计与开发工作,而按照计划,该产品将会在明年逐步推向市场,这也意味着国内首条自主研发DDR4内存确认将会在明年问世。其实早在今年3月份,紫光国芯的 DDR4 和LPDDR4 内存就已经通过了科技成果评价。

现在紫光其实是有 DDR3 闪存在售的,在网友们测试之后也纷纷表示虽然不支持XMP 等功能,超频到1866也能够正常运行,已经达到了可以稳定使用的水准,所以对于下一代 DDR4内存,我们也是对紫光保有更大的期待。


而在今年 1 月,紫光也宣布投资 2000 亿元在南京建设半导体产业基地,建成后月产晶圆 10 万片,是中国规模最大的芯片制造工厂。同时紫光业投资了长江存储,计划打造国产的 3D NAND 闪存,所以未来紫光的努力或许会在芯片、DRAM 和闪存等多个领域开花结果,而这或许会帮助紫光成为世界范围内为数不多能够自设计、自生产、自销售的半导体企业。

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